中國質量新聞網訊（安宇航）近日，意法半導體STMicroelectronics（簡稱ST公司）官網公告顯示，已和三安光電簽署協議，雙方將在重慶建立一座新的8英寸碳化硅器件合資制造廠，有助于滿足中國汽車電氣化、工業電力和能源等應用對SiC器件日益增長的市場需求。
圖片來源：ST公司官網
據悉，該制造廠計劃于2025年第四季度開始生產，預計將于2028年全面建成。該制造廠將采用ST公司SiC專利制造工藝技術，專注于生產SiC器件。
同時，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。
此外，該廠全部建設總額預計約達32億美元（約合228億人民幣）。其中，未來5年的資本支出約為24億美元（約合171億人民幣），資金來源包括ST公司和三安光電的資金投入、來自重慶政府的支持以及由合資企業向外貸款。
ST公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“對ST來說，與中國本地的合作伙伴成立碳化硅工廠，這將助力我們以高效的方式滿足中國客戶不斷增長的市場需求。將三安光電未來的8英寸襯底制造廠、雙方新成立的合資工廠以及ST在深圳現有的后端制造廠相結合，我們有能力為中國客戶提供垂直整合的SiC價值鏈。”
三安光電首席執行官林科闖表示：“三安光電新建的SiC襯底工廠，專門為新成立的合資工廠提供SiC襯底。隨著新合資廠的成立和新SiC襯底工廠的產能擴張，我們有信息繼續在SiC專業晶圓代工市場占據優勢地位。”
